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安森美onsemi NTBG060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是一款44mΩ、650V MOSFET,采用D2PAK-7L封装。
M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET为快速开关应用进行了优化,并提供了一个低22毫欧漏源通电阻。
ROHM的SCT2H12NZ门驱动电路最大限度地提高了SiC MOSFET的性能
安森美NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET优化用于快速开关应用,具有22mΩ低漏极-源极导通电阻。M3S系列SiC MOSFET由18V栅极驱动驱动时可提供最佳性能,但也可与15V栅极驱动配合使用。
东芝的TO-3P(N)碳化硅(SiC) MOSFET在1.2 kV时具有低RDS(ON)
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